| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRFR220PBF |
| Codice Parte EBEE | E8511009 |
| Confezione | DPAK(TO-252) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 4.8A 0.8Ω@10V,2.9A 42W 2V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9590 | $ 0.9590 |
| 10+ | $0.7759 | $ 7.7590 |
| 30+ | $0.6843 | $ 20.5290 |
| 75+ | $0.5928 | $ 44.4600 |
| 525+ | $0.5381 | $ 282.5025 |
| 975+ | $0.5108 | $ 498.0300 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY IRFR220PBF | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 800mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 42W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9590 | $ 0.9590 |
| 10+ | $0.7759 | $ 7.7590 |
| 30+ | $0.6843 | $ 20.5290 |
| 75+ | $0.5928 | $ 44.4600 |
| 525+ | $0.5381 | $ 282.5025 |
| 975+ | $0.5108 | $ 498.0300 |
