| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRFIBF30GPBF |
| Codice Parte EBEE | E8511075 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 900V 1.9A 3.7Ω@10V,1.1A 35W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1485 | $ 1.1485 |
| 10+ | $1.1237 | $ 11.2370 |
| 30+ | $1.1058 | $ 33.1740 |
| 100+ | $1.0899 | $ 108.9900 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY IRFIBF30GPBF | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 900V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 1.9A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.7Ω@10V,1.1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 35W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 200pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.2nF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 78nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1485 | $ 1.1485 |
| 10+ | $1.1237 | $ 11.2370 |
| 30+ | $1.1058 | $ 33.1740 |
| 100+ | $1.0899 | $ 108.9900 |
