| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRFD9020PBF |
| Codice Parte EBEE | E8727829 |
| Confezione | HVMDIP-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 1.1A 0.28Ω@10V,0.96A 1.3W 2V@1uA HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0518 | $ 1.0518 |
| 10+ | $1.0286 | $ 10.2860 |
| 30+ | $1.0116 | $ 30.3480 |
| 100+ | $0.9962 | $ 99.6200 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY IRFD9020PBF | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 280mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 570pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 360pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0518 | $ 1.0518 |
| 10+ | $1.0286 | $ 10.2860 |
| 30+ | $1.0116 | $ 30.3480 |
| 100+ | $0.9962 | $ 99.6200 |
