| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRFD110PBF |
| Codice Parte EBEE | E83005 |
| Confezione | HVMDIP-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 0.71A 1.3W 0.54Ω@10V,0.6A 2V@250uA 1 N-channel HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5489 | $ 0.5489 |
| 10+ | $0.4434 | $ 4.4340 |
| 30+ | $0.3914 | $ 11.7420 |
| 100+ | $0.3394 | $ 33.9400 |
| 500+ | $0.3073 | $ 153.6500 |
| 1000+ | $0.2905 | $ 290.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY IRFD110PBF | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 540mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 81pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.3nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5489 | $ 0.5489 |
| 10+ | $0.4434 | $ 4.4340 |
| 30+ | $0.3914 | $ 11.7420 |
| 100+ | $0.3394 | $ 33.9400 |
| 500+ | $0.3073 | $ 153.6500 |
| 1000+ | $0.2905 | $ 290.5000 |
