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Vishay Intertech IRFB9N65APBF
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRFB9N65APBF |
| Codice Parte EBEE | E86211052 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 5.4A 0.93Ω@10V,5.1A 167W 2V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $1.9460 | $ 1.9460 |
| 10+ | $1.8997 | $ 18.9970 |
| 50+ | $1.8703 | $ 93.5150 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY IRFB9N65APBF | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 930mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.417nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 177pF | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V |
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