| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRF9510SPBF |
| Codice Parte EBEE | E8727768 |
| Confezione | D2PAK(TO-263) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 4A 1.2Ω@10V,2.4A 43W 4V@250uA 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2152 | $ 1.2152 |
| 10+ | $1.1058 | $ 11.0580 |
| 50+ | $1.0381 | $ 51.9050 |
| 100+ | $0.9688 | $ 96.8800 |
| 500+ | $0.9364 | $ 468.2000 |
| 1000+ | $0.9226 | $ 922.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY IRF9510SPBF | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 1.2Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 43W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 200pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.7nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2152 | $ 1.2152 |
| 10+ | $1.1058 | $ 11.0580 |
| 50+ | $1.0381 | $ 51.9050 |
| 100+ | $0.9688 | $ 96.8800 |
| 500+ | $0.9364 | $ 468.2000 |
| 1000+ | $0.9226 | $ 922.6000 |
