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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VS4518AD-VB |
| Codice Parte EBEE | E819188255 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5585 | $ 0.5585 |
| 10+ | $0.4533 | $ 4.5330 |
| 30+ | $0.4015 | $ 12.0450 |
| 100+ | $0.3496 | $ 34.9600 |
| 500+ | $0.3182 | $ 159.1000 |
| 1000+ | $0.3031 | $ 303.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VS4518AD-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 17mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 212pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.372nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 272pF | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5585 | $ 0.5585 |
| 10+ | $0.4533 | $ 4.5330 |
| 30+ | $0.4015 | $ 12.0450 |
| 100+ | $0.3496 | $ 34.9600 |
| 500+ | $0.3182 | $ 159.1000 |
| 1000+ | $0.3031 | $ 303.1000 |
