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VBsemi Elec VS3080AD-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VS3080AD-VB |
| Codice Parte EBEE | E819632048 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 100A 2mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3003 | $ 0.3003 |
| 10+ | $0.2942 | $ 2.9420 |
| 30+ | $0.2897 | $ 8.6910 |
| 100+ | $0.2837 | $ 28.3700 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VS3080AD-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 3mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.525nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $0.2942 | $ 2.9420 |
| 30+ | $0.2897 | $ 8.6910 |
| 100+ | $0.2837 | $ 28.3700 |
