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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VBZM80N04 |
| Codice Parte EBEE | E8700724 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 110A 3.13W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7334 | $ 0.7334 |
| 10+ | $0.5962 | $ 5.9620 |
| 50+ | $0.5275 | $ 26.3750 |
| 100+ | $0.4589 | $ 45.8900 |
| 500+ | $0.4185 | $ 209.2500 |
| 1000+ | $0.3983 | $ 398.3000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBZM80N04 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | - | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 310pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.9nF | |
| Gate Charge(Qg) | 130nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7334 | $ 0.7334 |
| 10+ | $0.5962 | $ 5.9620 |
| 50+ | $0.5275 | $ 26.3750 |
| 100+ | $0.4589 | $ 45.8900 |
| 500+ | $0.4185 | $ 209.2500 |
| 1000+ | $0.3983 | $ 398.3000 |
