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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VBZE2810 |
| Codice Parte EBEE | E8700634 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 100A 200W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9643 | $ 0.9643 |
| 10+ | $0.7764 | $ 7.7640 |
| 30+ | $0.6832 | $ 20.4960 |
| 100+ | $0.5901 | $ 59.0100 |
| 500+ | $0.5339 | $ 266.9500 |
| 1000+ | $0.5058 | $ 505.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBZE2810 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 6mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 230W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9643 | $ 0.9643 |
| 10+ | $0.7764 | $ 7.7640 |
| 30+ | $0.6832 | $ 20.4960 |
| 100+ | $0.5901 | $ 59.0100 |
| 500+ | $0.5339 | $ 266.9500 |
| 1000+ | $0.5058 | $ 505.8000 |
