| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VBZA9435 |
| Codice Parte EBEE | E8700606 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 5.8A 2.5W 700mV@250uA 1 Piece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3411 | $ 0.3411 |
| 10+ | $0.2732 | $ 2.7320 |
| 30+ | $0.2441 | $ 7.3230 |
| 100+ | $0.2079 | $ 20.7900 |
| 500+ | $0.1917 | $ 95.8500 |
| 1000+ | $0.1581 | $ 158.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBZA9435 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 33mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3411 | $ 0.3411 |
| 10+ | $0.2732 | $ 2.7320 |
| 30+ | $0.2441 | $ 7.3230 |
| 100+ | $0.2079 | $ 20.7900 |
| 500+ | $0.1917 | $ 95.8500 |
| 1000+ | $0.1581 | $ 158.1000 |
