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VBsemi Elec VBQF4338
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VBQF4338 |
| Codice Parte EBEE | E87541170 |
| Confezione | DFN-8(3x3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 6.4A 2.8W 1V@250uA 2 P-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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| 30+ | $0.5621 | $ 16.8630 |
| 100+ | $0.4859 | $ 48.5900 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBQF4338 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 38mΩ@10V;60mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.8pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.8W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@10V |
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