| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VBGL7103 |
| Codice Parte EBEE | E821264525 |
| Confezione | TO-263-7L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 180A 3mΩ@10V 1 N-channel TO-263-7L MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7436 | $ 2.7436 |
| 10+ | $2.3213 | $ 23.2130 |
| 50+ | $2.0577 | $ 102.8850 |
| 100+ | $1.7878 | $ 178.7800 |
| 500+ | $1.6655 | $ 832.7500 |
| 1000+ | $1.6116 | $ 1611.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBGL7103 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 3mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 21pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 246pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7436 | $ 2.7436 |
| 10+ | $2.3213 | $ 23.2130 |
| 50+ | $2.0577 | $ 102.8850 |
| 100+ | $1.7878 | $ 178.7800 |
| 500+ | $1.6655 | $ 832.7500 |
| 1000+ | $1.6116 | $ 1611.6000 |
