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VBsemi Elec VBE2658A
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VBE2658A |
| Codice Parte EBEE | E8967503 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 20A 1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6653 | $ 0.6653 |
| 10+ | $0.5399 | $ 5.3990 |
| 30+ | $0.4764 | $ 14.2920 |
| 100+ | $0.4144 | $ 41.4400 |
| 500+ | $0.3763 | $ 188.1500 |
| 1000+ | $0.3573 | $ 357.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBE2658A | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 49mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $0.5399 | $ 5.3990 |
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