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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VBE2101M |
| Codice Parte EBEE | E83040206 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 16A 2.5W 0.12Ω@4.5V,3.4A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6484 | $ 0.6484 |
| 10+ | $0.5227 | $ 5.2270 |
| 30+ | $0.4592 | $ 13.7760 |
| 100+ | $0.3970 | $ 39.7000 |
| 500+ | $0.3586 | $ 179.3000 |
| 1000+ | $0.3401 | $ 340.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBE2101M | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 100mΩ@10V;120mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 41pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32.1W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.055nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.2nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6484 | $ 0.6484 |
| 10+ | $0.5227 | $ 5.2270 |
| 30+ | $0.4592 | $ 13.7760 |
| 100+ | $0.3970 | $ 39.7000 |
| 500+ | $0.3586 | $ 179.3000 |
| 1000+ | $0.3401 | $ 340.1000 |
