| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VBE1203M |
| Codice Parte EBEE | E8480948 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 10A 0.245Ω@10V,3A 96W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6757 | $ 0.6757 |
| 10+ | $0.5435 | $ 5.4350 |
| 30+ | $0.4781 | $ 14.3430 |
| 100+ | $0.4128 | $ 41.2800 |
| 500+ | $0.3745 | $ 187.2500 |
| 1000+ | $0.3538 | $ 353.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VBE1203M | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 245mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6757 | $ 0.6757 |
| 10+ | $0.5435 | $ 5.4350 |
| 30+ | $0.4781 | $ 14.3430 |
| 100+ | $0.4128 | $ 41.2800 |
| 500+ | $0.3745 | $ 187.2500 |
| 1000+ | $0.3538 | $ 353.8000 |
