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VBsemi Elec VB2610N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | VB2610N |
| Codice Parte EBEE | E87429136 |
| Confezione | SOT-23(TO-236) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 3.5A 2W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.1900 | $ 9.5000 |
| 150+ | $0.1684 | $ 25.2600 |
| 500+ | $0.1414 | $ 70.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec VB2610N | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 70mΩ@10V;85mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 63pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4.2W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 832pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 88pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
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