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VBsemi Elec TPC8108-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TPC8108-VB |
| Codice Parte EBEE | E8878965 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 11.6A 12.5mΩ@10V,11.6A 1 Piece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3901 | $ 0.3901 |
| 10+ | $0.3091 | $ 3.0910 |
| 30+ | $0.2753 | $ 8.2590 |
| 100+ | $0.2321 | $ 23.2100 |
| 500+ | $0.2025 | $ 101.2500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec TPC8108-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 12.5mΩ@10V | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 325pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.96nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 380pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V;[email protected] |
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