| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TPC8103-VB |
| Codice Parte EBEE | E8725227 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 11.6A 2.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4566 | $ 0.4566 |
| 10+ | $0.3653 | $ 3.6530 |
| 30+ | $0.3250 | $ 9.7500 |
| 100+ | $0.2755 | $ 27.5500 |
| 500+ | $0.2260 | $ 113.0000 |
| 1000+ | $0.2136 | $ 213.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec TPC8103-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 11mΩ@10V;12mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 325pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 5.6W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.96nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 380pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V;[email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4566 | $ 0.4566 |
| 10+ | $0.3653 | $ 3.6530 |
| 30+ | $0.3250 | $ 9.7500 |
| 100+ | $0.2755 | $ 27.5500 |
| 500+ | $0.2260 | $ 113.0000 |
| 1000+ | $0.2136 | $ 213.6000 |
