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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TK30E06N1-VB |
| Codice Parte EBEE | E87568839 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 11mΩ@10V 1.9V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6883 | $ 0.6883 |
| 10+ | $0.5601 | $ 5.6010 |
| 50+ | $0.4953 | $ 24.7650 |
| 100+ | $0.4319 | $ 43.1900 |
| 500+ | $0.3928 | $ 196.4000 |
| 1000+ | $0.3738 | $ 373.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec TK30E06N1-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 11mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 325pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 570pF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6883 | $ 0.6883 |
| 10+ | $0.5601 | $ 5.6010 |
| 50+ | $0.4953 | $ 24.7650 |
| 100+ | $0.4319 | $ 43.1900 |
| 500+ | $0.3928 | $ 196.4000 |
| 1000+ | $0.3738 | $ 373.8000 |
