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VBsemi Elec TK11P65W-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TK11P65W-VB |
| Codice Parte EBEE | E822357295 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 700V 11A 390mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 30+ | $0.9908 | $ 29.7240 |
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| 500+ | $0.7812 | $ 390.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec TK11P65W-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 390mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@10V |
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