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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TK11A65D-VB |
| Codice Parte EBEE | E819632059 |
| Confezione | TO-220F |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 12A 680mΩ@10V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9109 | $ 0.9109 |
| 10+ | $0.7598 | $ 7.5980 |
| 50+ | $0.6775 | $ 33.8750 |
| 100+ | $0.5830 | $ 58.3000 |
| 500+ | $0.5426 | $ 271.3000 |
| 1000+ | $0.5237 | $ 523.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec TK11A65D-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 650mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 200pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9109 | $ 0.9109 |
| 10+ | $0.7598 | $ 7.5980 |
| 50+ | $0.6775 | $ 33.8750 |
| 100+ | $0.5830 | $ 58.3000 |
| 500+ | $0.5426 | $ 271.3000 |
| 1000+ | $0.5237 | $ 523.7000 |
