| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF24N65M2-VB |
| Codice Parte EBEE | E822357210 |
| Confezione | TO-220F |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 18A 230mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1990 | $ 2.1990 |
| 10+ | $1.8608 | $ 18.6080 |
| 50+ | $1.6497 | $ 82.4850 |
| 100+ | $1.4321 | $ 143.2100 |
| 500+ | $1.3353 | $ 667.6500 |
| 1000+ | $1.2924 | $ 1292.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec STF24N65M2-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 230mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.2nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1990 | $ 2.1990 |
| 10+ | $1.8608 | $ 18.6080 |
| 50+ | $1.6497 | $ 82.4850 |
| 100+ | $1.4321 | $ 143.2100 |
| 500+ | $1.3353 | $ 667.6500 |
| 1000+ | $1.2924 | $ 1292.4000 |
