Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

VBsemi Elec STD8N65M5-VB


Produttore
Codice Parte Mfr.
STD8N65M5-VB
Codice Parte EBEE
E822357267
Confezione
TO-252
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
650V 8A 560mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
3 In Magazzino per Consegna Rapida
3 disponibile per consegna immediata
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$1.0733$ 1.0733
10+$0.8876$ 8.8760
30+$0.7860$ 23.5800
100+$0.6701$ 67.0100
500+$0.6192$ 309.6000
1000+$0.5970$ 597.0000
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVBsemi Elec STD8N65M5-VB
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
La configurazione-
RDS (on)560mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)51pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation180W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)8A
Ciss-Input Capacitance2.3nF
Output Capacitance(Coss)51pF
Gate Charge(Qg)205nC@10V

Guida all’acquisto

Espandi