| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD7NS20-VB |
| Codice Parte EBEE | E841370534 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 10A 3W 0.245Ω@10V,3A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0694 | $ 1.0694 |
| 200+ | $0.4278 | $ 85.5600 |
| 500+ | $0.4132 | $ 206.6000 |
| 1000+ | $0.4058 | $ 405.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec STD7NS20-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 200V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 10A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.245Ω@10V,3A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 3W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 80pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.8nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 51nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0694 | $ 1.0694 |
| 200+ | $0.4278 | $ 85.5600 |
| 500+ | $0.4132 | $ 206.6000 |
| 1000+ | $0.4058 | $ 405.8000 |
