| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD5NM50T4-VB |
| Codice Parte EBEE | E87463514 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 6A 83W 2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9971 | $ 0.9971 |
| 10+ | $0.8018 | $ 8.0180 |
| 30+ | $0.7050 | $ 21.1500 |
| 100+ | $0.6097 | $ 60.9700 |
| 500+ | $0.5510 | $ 275.5000 |
| 1000+ | $0.5224 | $ 522.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec STD5NM50T4-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 700mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 360pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9971 | $ 0.9971 |
| 10+ | $0.8018 | $ 8.0180 |
| 30+ | $0.7050 | $ 21.1500 |
| 100+ | $0.6097 | $ 60.9700 |
| 500+ | $0.5510 | $ 275.5000 |
| 1000+ | $0.5224 | $ 522.4000 |
