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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD40NF10T4-VB |
| Codice Parte EBEE | E819190173 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8356 | $ 0.8356 |
| 10+ | $0.6786 | $ 6.7860 |
| 30+ | $0.6008 | $ 18.0240 |
| 100+ | $0.5229 | $ 52.2900 |
| 500+ | $0.4765 | $ 238.2500 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec STD40NF10T4-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 18.5mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136.4W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8356 | $ 0.8356 |
| 10+ | $0.6786 | $ 6.7860 |
| 30+ | $0.6008 | $ 18.0240 |
| 100+ | $0.5229 | $ 52.2900 |
| 500+ | $0.4765 | $ 238.2500 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
