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VBsemi Elec STD25P03LT4G-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD25P03LT4G-VB |
| Codice Parte EBEE | E829779203 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 38A 0.033Ω@10V,38A 2.7W 1V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1963 | $ 0.1963 |
| 10+ | $0.1917 | $ 1.9170 |
| 30+ | $0.1886 | $ 5.6580 |
| 100+ | $0.1855 | $ 18.5500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec STD25P03LT4G-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 46mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 190pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.7W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 255pF | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
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| 10+ | $0.1917 | $ 1.9170 |
| 30+ | $0.1886 | $ 5.6580 |
| 100+ | $0.1855 | $ 18.5500 |
