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VBsemi Elec STD16N10LT4-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD16N10LT4-VB |
| Codice Parte EBEE | E829779202 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 15A 0.114Ω@10V,3A 96W 3.5V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.3906 | $ 3.9060 |
| 30+ | $0.3446 | $ 10.3380 |
| 100+ | $0.2874 | $ 28.7400 |
| 500+ | $0.2620 | $ 131.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec STD16N10LT4-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 114mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 60pF | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 950pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V |
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