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VBsemi Elec STD10NF06-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD10NF06-VB |
| Codice Parte EBEE | E8725203 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 18A 2.1W 1V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2067 | $ 0.2067 |
| 10+ | $0.2022 | $ 2.0220 |
| 30+ | $0.1992 | $ 5.9760 |
| 100+ | $0.1962 | $ 19.6200 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec STD10NF06-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 73mΩ@10V;85mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 41.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 660pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 85pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.8nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $0.2067 | $ 0.2067 |
| 10+ | $0.2022 | $ 2.0220 |
| 30+ | $0.1992 | $ 5.9760 |
| 100+ | $0.1962 | $ 19.6200 |
