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VBsemi Elec STB60N55F3-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB60N55F3-VB |
| Codice Parte EBEE | E841370527 |
| Confezione | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 150A 12mΩ@10V,30A 220W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6452 | $ 1.6452 |
| 200+ | $0.6563 | $ 131.2600 |
| 500+ | $0.6343 | $ 317.1500 |
| 1000+ | $0.6253 | $ 625.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec STB60N55F3-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 60V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 150A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 12mΩ@10V,30A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 220W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 360pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 7nF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 96nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $1.6452 | $ 1.6452 |
| 200+ | $0.6563 | $ 131.2600 |
| 500+ | $0.6343 | $ 317.1500 |
| 1000+ | $0.6253 | $ 625.3000 |
