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VBsemi Elec SPP11N80C3-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SPP11N80C3-VB |
| Codice Parte EBEE | E822357303 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 12A 370mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec SPP11N80C3-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 370mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |
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