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VBsemi Elec SI7913DN-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI7913DN-VB |
| Codice Parte EBEE | E841370419 |
| Confezione | DFN-8-EP(3x3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 6.4A 2.8W 0.038Ω@10V,6.4A 1V@250uA 2 P-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2375 | $ 1.2375 |
| 200+ | $0.4936 | $ 98.7200 |
| 500+ | $0.4771 | $ 238.5500 |
| 1000+ | $0.4699 | $ 469.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec SI7913DN-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 2 P-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 6.4A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.038Ω@10V,6.4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.8W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 200pF@10V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.2nF@10V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 21nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $1.2375 | $ 1.2375 |
| 200+ | $0.4936 | $ 98.7200 |
| 500+ | $0.4771 | $ 238.5500 |
| 1000+ | $0.4699 | $ 469.9000 |
