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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | PSMN015-100B-VB |
| Codice Parte EBEE | E87525087 |
| Confezione | TO-263(D2PAK) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 100A 3.75W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9501 | $ 0.9501 |
| 10+ | $0.7922 | $ 7.9220 |
| 50+ | $0.7058 | $ 35.2900 |
| 100+ | $0.6073 | $ 60.7300 |
| 500+ | $0.5641 | $ 282.0500 |
| 1000+ | $0.5453 | $ 545.3000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec PSMN015-100B-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 10mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 265pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 665pF |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9501 | $ 0.9501 |
| 10+ | $0.7922 | $ 7.9220 |
| 50+ | $0.7058 | $ 35.2900 |
| 100+ | $0.6073 | $ 60.7300 |
| 500+ | $0.5641 | $ 282.0500 |
| 1000+ | $0.5453 | $ 545.3000 |
