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VBsemi Elec PHD36N03LT-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | PHD36N03LT-VB |
| Codice Parte EBEE | E822389939 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec PHD36N03LT-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 4.5mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 375pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 71W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.66nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 730pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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