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VBsemi Elec P6015CDG-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P6015CDG-VB |
| Codice Parte EBEE | E819632144 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 150V 25.4A 74mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3817 | $ 0.3817 |
| 10+ | $0.3727 | $ 3.7270 |
| 30+ | $0.3667 | $ 11.0010 |
| 100+ | $0.3606 | $ 36.0600 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec P6015CDG-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 77mΩ@8V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 5.9W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.735nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 160pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $0.3727 | $ 3.7270 |
| 30+ | $0.3667 | $ 11.0010 |
| 100+ | $0.3606 | $ 36.0600 |
