| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P0803BDG-VB |
| Codice Parte EBEE | E822389796 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec P0803BDG-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 6mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 270pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Gate Charge(Qg) | 107nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
