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VBsemi Elec NCE2012-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NCE2012-VB |
| Codice Parte EBEE | E841370180 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 20A 2.5W 0.0049Ω@4.5V,10A 2.1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec NCE2012-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 20V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 20A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0049Ω@4.5V,10A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.5W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 315pF@10V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3.7nF@10V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 27.5nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
