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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MTP2N50E-VB |
| Codice Parte EBEE | E87568898 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 4.5A 60W 2.2Ω@10V 3.5V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4684 | $ 0.4684 |
| 10+ | $0.3726 | $ 3.7260 |
| 50+ | $0.3307 | $ 16.5350 |
| 100+ | $0.2794 | $ 27.9400 |
| 500+ | $0.2564 | $ 128.2000 |
| 1000+ | $0.2429 | $ 242.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec MTP2N50E-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.2Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.017nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4684 | $ 0.4684 |
| 10+ | $0.3726 | $ 3.7260 |
| 50+ | $0.3307 | $ 16.5350 |
| 100+ | $0.2794 | $ 27.9400 |
| 500+ | $0.2564 | $ 128.2000 |
| 1000+ | $0.2429 | $ 242.9000 |
