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VBsemi Elec K8A55DA-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | K8A55DA-VB |
| Codice Parte EBEE | E829778866 |
| Confezione | TO-220F |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 5.6A 1.1Ω@10V,4A 83W 2.5V@250uA TO-220F MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.7240 | $ 7.2400 |
| 50+ | $0.6351 | $ 31.7550 |
| 100+ | $0.5494 | $ 54.9400 |
| 500+ | $0.4970 | $ 248.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec K8A55DA-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.1Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 860pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
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