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VBsemi Elec IRF9530NS-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRF9530NS-VB |
| Codice Parte EBEE | E84355054 |
| Confezione | TO-263(D2PAK) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 12A 2.1W 0.22Ω@10V,12A 1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec IRF9530NS-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 220mΩ@10V;240mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 280pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50.7W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.765nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Gate Charge(Qg) | 67nC@10V |
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