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VBsemi Elec IRF650PBF-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRF650PBF-VB |
| Codice Parte EBEE | E820417667 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 200V 35A 58mΩ@10V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $1.6947 | $ 1.6947 |
| 10+ | $1.4457 | $ 14.4570 |
| 50+ | $1.2899 | $ 64.4950 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec IRF650PBF-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 58mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 110pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.69nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 200pF | |
| Gate Charge(Qg) | 140nC |
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