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VBsemi Elec IRF650APBF-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRF650APBF-VB |
| Codice Parte EBEE | E85878803 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 35A 300W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5984 | $ 1.5984 |
| 10+ | $1.3602 | $ 13.6020 |
| 50+ | $1.1466 | $ 57.3300 |
| 100+ | $0.9944 | $ 99.4400 |
| 500+ | $0.9252 | $ 462.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec IRF650APBF-VB | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | - | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 110pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.69nF | |
| Gate Charge(Qg) | 140nC@10V |
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