15% off
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRF5802TRPBF-VB |
| Codice Parte EBEE | E86705267 |
| Confezione | TSOP-6 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 3.2A 1.3W 2.5V@250uA 1 N-channel TSOP-6 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1398 | $ 0.6990 |
| 50+ | $0.1217 | $ 6.0850 |
| 150+ | $0.1140 | $ 17.1000 |
| 500+ | $0.1044 | $ 52.2000 |
| 3000+ | $0.1000 | $ 300.0000 |
| 6000+ | $0.0975 | $ 585.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec IRF5802TRPBF-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 95mΩ@10V;105mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 42pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 424pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1398 | $ 0.6990 |
| 50+ | $0.1217 | $ 6.0850 |
| 150+ | $0.1140 | $ 17.1000 |
| 500+ | $0.1044 | $ 52.2000 |
| 3000+ | $0.1000 | $ 300.0000 |
| 6000+ | $0.0975 | $ 585.0000 |
