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VBsemi Elec HY1908D-VB


Produttore
Codice Parte Mfr.
HY1908D-VB
Codice Parte EBEE
E819632121
Confezione
TO-252
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
80V 75A 5mΩ@10V 1 N-channel TO-252-2L MOSFETs ROHS
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVBsemi Elec HY1908D-VB
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)8.7mΩ@5V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)76pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation62.5W
Drain to Source Voltage80V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)75A
Ciss-Input Capacitance1.855nF
Output Capacitance(Coss)950pF
Gate Charge(Qg)54nC@6V

Guida all’acquisto

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