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VBsemi Elec HAT2016R-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HAT2016R-VB |
| Codice Parte EBEE | E8725055 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 6.8A 1.78W 1V@250uA 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1686 | $ 0.8430 |
| 50+ | $0.1647 | $ 8.2350 |
| 150+ | $0.1621 | $ 24.3150 |
| 500+ | $0.1594 | $ 79.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec HAT2016R-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 22mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.78W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 586pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 117pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 5+ | $0.1686 | $ 0.8430 |
| 50+ | $0.1647 | $ 8.2350 |
| 150+ | $0.1621 | $ 24.3150 |
| 500+ | $0.1594 | $ 79.7000 |
