| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FL9110-VB |
| Codice Parte EBEE | E84355139 |
| Confezione | SOT-223 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 3A 3.1W 0.2Ω@10V,3A 2V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-223 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5442 | $ 0.5442 |
| 10+ | $0.4304 | $ 4.3040 |
| 30+ | $0.3812 | $ 11.4360 |
| 100+ | $0.3213 | $ 32.1300 |
| 500+ | $0.2798 | $ 139.9000 |
| 1000+ | $0.2644 | $ 264.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec FL9110-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 200mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 32pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 819pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.2nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5442 | $ 0.5442 |
| 10+ | $0.4304 | $ 4.3040 |
| 30+ | $0.3812 | $ 11.4360 |
| 100+ | $0.3213 | $ 32.1300 |
| 500+ | $0.2798 | $ 139.9000 |
| 1000+ | $0.2644 | $ 264.4000 |
