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VBsemi Elec FDW252P-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDW252P-VB |
| Codice Parte EBEE | E818795066 |
| Confezione | TSSOP-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 9A 10mΩ@4.5V 1 Piece P-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8356 | $ 0.8356 |
| 10+ | $0.6786 | $ 6.7860 |
| 30+ | $0.6008 | $ 18.0240 |
| 100+ | $0.5229 | $ 52.2900 |
| 500+ | $0.4765 | $ 238.2500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec FDW252P-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 10mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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