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VBsemi Elec FDN306P-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDN306P-VB |
| Codice Parte EBEE | E8725031 |
| Confezione | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 4.8A 1.6W 500mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0754 | $ 0.3770 |
| 50+ | $0.0607 | $ 3.0350 |
| 150+ | $0.0533 | $ 7.9950 |
| 500+ | $0.0478 | $ 23.9000 |
| 3000+ | $0.0371 | $ 111.3000 |
| 6000+ | $0.0349 | $ 209.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec FDN306P-VB | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | - | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 155pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 835pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 5+ | $0.0754 | $ 0.3770 |
| 50+ | $0.0607 | $ 3.0350 |
| 150+ | $0.0533 | $ 7.9950 |
| 500+ | $0.0478 | $ 23.9000 |
| 3000+ | $0.0371 | $ 111.3000 |
| 6000+ | $0.0349 | $ 209.4000 |
