Recommonended For You
15% off
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

VBsemi Elec FDMS8622-VB


Produttore
Codice Parte Mfr.
FDMS8622-VB
Codice Parte EBEE
E87568833
Confezione
DFN5x6-8
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
100V 18mΩ@10V 4V 1 N-channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
17 In Magazzino per Consegna Rapida
17 disponibile per consegna immediata
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$1.3066$ 1.3066
10+$1.0910$ 10.9100
30+$0.9721$ 29.1630
100+$0.8370$ 83.7000
500+$0.7769$ 388.4500
1000+$0.7496$ 749.6000
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVBsemi Elec FDMS8622-VB
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)18mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)11.2pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation60W
Drain to Source Voltage100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)30A
Ciss-Input Capacitance1.47nF
Output Capacitance(Coss)132pF
Gate Charge(Qg)20nC@10V

Guida all’acquisto

Espandi